型号/品牌/封装                            
                        
                        
                            
                                品类/描述                            
                        
                        
                            
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                                价格(含税)                            
                        
                        
                            
                                资料                            
                        
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                                    品类: TVS二极管描述: Diode TVS Single Bi-Dir 13V 500W 2Pin DO-15 T/R517210+¥0.901850+¥0.8550100+¥0.8216300+¥0.8016500+¥0.78161000+¥0.76152500+¥0.73155000+¥0.7248
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                                    品类: TVS二极管描述: SLD 系列 36 V 2.2 kW 通孔 双向 TVS 二极管 - P-60010205+¥12.844350+¥12.2954200+¥11.9880500+¥11.91111000+¥11.83432500+¥11.74655000+¥11.69167500+¥11.6367
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                                    品类: TVS二极管描述: TVS DIODE 43VWM 69.4VC P60059155+¥13.099350+¥12.5395200+¥12.2260500+¥12.14771000+¥12.06932500+¥11.97975000+¥11.92377500+¥11.8678
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                                    品类: TVS二极管描述: Diode Switching 2kV 10A 3Pin62871+¥2474.762410+¥2452.264625+¥2441.015650+¥2429.7667100+¥2418.5178150+¥2407.2689250+¥2396.0200500+¥2384.7710
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                                    品类: TVS二极管描述: Diode Switching 22.4kV 4.7A 3Pin39711+¥3942.020510+¥3906.184025+¥3888.265750+¥3870.3474100+¥3852.4291150+¥3834.5109250+¥3816.5926500+¥3798.6743
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                                    品类: TVS二极管描述: Tvs Diode 13vwm 21.5vc Axial41565+¥17.857750+¥17.0946200+¥16.6672500+¥16.56041000+¥16.45352500+¥16.33145000+¥16.25517500+¥16.1788
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                                    品类: TVS二极管描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor77885+¥2.957925+¥2.738850+¥2.5854100+¥2.5197500+¥2.47582500+¥2.42115000+¥2.399110000+¥2.3663
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                                    品类: TVS二极管描述: ON SEMICONDUCTOR 1N6278AG 单管二极管 齐纳, 5 W, 轴向引线, 2 引脚, 175 °C94435+¥3.341325+¥3.093850+¥2.9205100+¥2.8463500+¥2.79682500+¥2.73495000+¥2.710110000+¥2.6730
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                                    品类: TVS二极管描述: 1N6267A 系列 49.4 V 1500 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制器86745+¥1.837425+¥1.701350+¥1.6060100+¥1.5652500+¥1.53792500+¥1.50395000+¥1.490310000+¥1.4699
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                                    品类: TVS二极管描述: Fairchild Semiconductor ### 二极管和整流器,Fairchild Semiconductor 无论您是进行新设计、还是采购,Fairchild 都可为您提供行业标准二极管和整流器、小信号二极管、Schottky 和 Zener 二极管。 部件提供最佳质量、功能和封装选项组合。5839
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                                    品类: TVS二极管描述: 1500瓦MosorbE齐纳瞬态电压瞬态电压 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage8426
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                                    品类: TVS二极管描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor4784
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                                    品类: TVS二极管描述: 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor1751
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                                    品类: TVS二极管描述: Fairchild Semiconductor 二极管和整流器,Fairchild Semiconductor 无论您是进行新设计、还是采购,Fairchild 都可为您提供行业标准二极管和整流器、小信号二极管、Schottky 和 Zener 二极管。 部件提供最佳质量、功能和封装选项组合。9127
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                                    品类: TVS二极管描述: 500瓦峰值功率MiniMOSORB齐纳瞬态电压抑制器 500 Watt Peak Power MiniMOSORB Zener Transient Voltage Suppressors6548